互通有无扩展生态，英飞凌与罗姆达成碳化硅 SiC 功率器件封装合作

　　9 月 28 日消息，两家重要功率半导体企业德国英飞凌 Infineon 和日本罗姆 ROHM 本月 25 宣布双方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封装合作机制签署了备忘录。

　　根据这份协议，双方将成为对方 SiC 功率器件特定封装的第二供应商，未来客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性。

　　具体而言，罗姆将采用英飞凌的 2.3mm 标准高度 SiC 顶部散热平台;而英飞凌则将导入罗姆的半桥结构 SiC 模块 "DOT-247" 并开发兼容封装。

　　不仅如此，英飞凌与罗姆计划未来扩大合作范围，这份伙伴关系将涵盖采用硅 (Si) 及宽禁带半导体碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 等的功率技术的更多封装形式。